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二维材料纳米孔阵列纳米流体器件及其制备方法与应用
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§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10N 70/20 (2023.01)H10N 70/00 (2023.01)B82Y 10/00 (2011.01)B82Y 40/00 (2011.01)G16C 60/00 (2019.01)G11C 13/00 (2006.01)G06N 3/063 (2023.01)
本发明公开了一种二维材料纳米孔阵列纳米流体器件及其制备方法与应用。该结构包括设有悬浮窗格的绝缘衬底及与之集成的应力释放预制结构、覆盖其上的超薄二维材料薄膜、贯穿薄膜的功能性纳米孔阵列。所述应力释放预制结构包括释放孔及连通沟道,用于耗散制备与工作时的薄膜应力,显著提升高密度阵列的成品率与鲁棒性。其制备方法采用晶圆级批量加工与编程化氦离子束刻蚀相结合,实现了阵列的高均一性、可扩展制造。该结构专用于构建纳米流体忆阻器及神经形态计算交叉阵列,为实现高性能、高生物兼容性的“感存算一体”硬件提供了理想的通用性基础平台。
§ Ⅵ
특허 도면
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