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集成电路芯片及其制备方法、电子器件
발명알 수 없음
14조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ
개요
IPC 분류
H10W 72/00 (2026.01)H10P 95/00 (2026.01)
本申请公开了一种集成电路芯片及其制备方法、电子器件,集成电路芯片包括衬底、互连功能层与有源器件层,互连功能层设置于衬底沿厚度方向的一侧,互连功能层包括沿远离衬底的方向层叠设置的第一互连层与第二互连层;有源器件层沿厚度方向设置于第一互连层与第二互连层之间,有源器件层的热预算低于第一互连层的热预算;其中,第一互连层的线宽小于第二互连层的线宽。本申请通过限制有源器件层与第一互连层的热预算关系实现了有源器件层的双侧布线,进而缓解有源器件层的布线压力,有源器件层内能够集成更多器件实现芯片性能的提升。其中,用于制备有源器件层的第一互连层布线密度更大,以使集成电路芯片具有较好的工艺可得性。
§ Ⅵ
특허 도면
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