一种非对称HVCMOS器件及其制备方法

本发明公开了一种非对称HVCMOS器件及其制备方法。所述器件包括半导体衬底、形成于衬底中的漂移区、栅极结构、源区和漏区。其特征在于，在所述栅极结构的侧墙靠近源区的一侧表面上，形成有一个场板，该场板与所述源区实现电性连接。所述场板由介质材料构成，其边缘产生的电场效应能够优化漂移区表面的横向电场分布，从而有效提升器件的击穿电压并降低表面漏电流。所述制备方法的关键在于，形成所述场板的工艺步骤与形成自对准硅化物阻挡层的工艺步骤共享同一道光刻掩模，通过一次光刻和后续的刻蚀工艺，在定义硅化物阻挡区域的同时形成所述场板。本发明实现了具有工艺简单、成本低、与现有产线兼容性好的优点。