一种高功率芯片金刚石复合材料焊接封装工艺

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种高功率芯片金刚石复合材料焊接封装工艺，S1：对液冷板和高导热均温材料或器件进行清洗；S2：在液冷板和高导热均温材料或器件上涂覆银铜复合焊料；S3：将高导热均温材料或器件覆盖贴设于液冷板上，得到预制贴合件；S4：将预制贴合件装夹于恒温载台上，键合头对位后对其施加预紧压力，并注入保护气；S5：设定键合温度为分段阶梯升温模式，且最高升至200‑300℃，期间键合头对预制贴合件持续施加0.1‑0.2MPa的恒定压合力，并恒温保压20‑30min完成冶金结合；S6：恒温保压结束后，随炉阶梯降温至常温，取出工件完成键合；采用低温银铜热压键合工艺将高导热均温材料或器件覆设或嵌入至液冷板的热传导接触面上，提高导热效率。