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기록

用于改善氮化硅相对于氧化硅的选择性蚀刻的方法

발명알 수 없음
13청구항 · 7 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

T·P·A·鲁贝鲁; G·法里德; 刘家昌

출원일

Mar 10, 2025

공개일

Oct 27, 2026

IPC 분류

C09K 3/14 (2006.01)C07F 7/18 (2006.01)C09K 13/04 (2006.01)

本发明涉及一种用于蚀刻衬底的至少一个表面,优选用于选择性蚀刻氮化硅,更优选用于在氧化硅存在下选择性蚀刻氮化硅的方法。

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