一种梯度孔隙氮化铝静电卡盘及其制备方法

本发明属于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种梯度孔隙氮化铝静电卡盘及其制备方法，特别适用于5nm以下制程的刻蚀设备中对12英寸晶圆的高效、稳定吸附及处理。包括氮化铝基体；氮化铝基体具有梯度分布的孔隙结构，从表面到内部依次分为表面层、过渡层和基层；氮化铝基体由AlN粉体、YO‑CaO烧结助剂及MgCO造孔剂组成。本发明借助造孔剂梯度分布技术，在氮化铝基体中构建具备特定孔径的三维连通孔隙网络，并采用两步烧结法使表面致密层与多孔基层形成整体结构。