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Dossier
一种高纯度铜的强化浸出方法
InventionActive
10Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
河南新国玺半导体材料有限公司
Inventor
陈煜宏; 宋保山; 杨彦春
IPC Classification
C22B 15/00 (2006.01)C22B 3/08 (2006.01)C22B 3/16 (2006.01)C25C 1/12 (2006.01)C25C 7/06 (2006.01)C22B 3/22 (2006.01)G16C 20/30 (2019.01)G06F 30/20 (2020.01)G06F 119/08 (2020.01)G06F 119/14 (2020.01)
本发明申请涉及高纯度铜制备领域,尤其是涉及一种通过甲磺酸强化浸出复杂原料中杂质的方法,具体为一种高纯度铜的强化浸出方法,其包括在浸出液中引入甲磺酸作为助剂,结合络合反应提升难溶杂质溶解速率,并优化温度、pH值及搅拌速度等参数以强化动力学过程。同时,通过动态监测铜离子浓度变化,采用自适应反馈控制算法调整甲磺酸添加量,实现精准调控。此外,利用多级过滤系统梯度分离杂质,结合电化学阻抗谱评估导电性能和杂质残留,动态优化工艺参数,降低后续电解能耗。本申请能够显著提高杂质浸出效率,减少精炼负担,满足高端应用需求,兼具经济性和环保性,为行业可持续发展提供新方案。
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