一种超平整铜镍合金单晶晶圆的批量制备方法

本发明公开了一种超平整铜镍合金单晶晶圆的批量制备方法，属于单晶合金材料的制备领域。本发明的通过基于“先镍后铜”双层磁控溅射，配合插槽式多片退火载具的批量制备工艺，在蓝宝石衬底上实现4英寸级别的铜镍单晶晶圆的批量制备（10片以上），具有可调控合金比例、晶体取向一致、表面粗糙度低于1 nm等显著优点。本发明的方法不仅能精确调控界面取向和扩散行为，还可满足电子互连、催化电化学及二维材料外延等多领域对高性能Cu‑Ni单晶晶圆的迫切需求。