半导体结构及其形成方法

本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：SOI衬底，所述SOI衬底包括顶硅层，所述顶硅层中形成有第一光栅结构，所述SOI衬底上还形成有覆盖所述SOI衬底和第一光栅结构的覆盖层；第二光栅结构，位于所述覆盖层表面，所述第二光栅结构包括若干第二光栅凸条和第二光栅凹槽，所述若干第二光栅凸条包括具有不同高度的第一光栅条、第二光栅条……至第N光栅条，N为大于等于2的正整数，所述第一光栅条、第二光栅条……至第N光栅条循环排列，每种高度的第二光栅凸条的数量大于等于2。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以形成具有灵活排列结构的具有多种不同高度的光栅条的光栅结构，提高入射光的可选择波长种类，提升带宽。