一种模拟硅通孔中铜晶粒微观结构演化的相场方法

本发明提出了一种模拟硅通孔中铜晶粒微观结构演化的相场方法，属于电子封装技术领域。解决现有技术无法连续追踪硅通孔铜晶粒微观结构演化的问题。方法包括：构建TSV铜柱多晶体系的相场模型，通过非守恒序参量唯一标识晶粒；建立包含本地势阱与梯度能项的自由能密度函数；将自由能密度函数代入Allen‑Cahn型动力学方程；求解Allen‑Cahn型动力学方程并可视化序参量演变，获得TSV铜柱晶粒形貌与尺寸的时空分布；对TSV样品进行热老化处理，并对热老化处理TSV样品截面进行电子背散射衍射表征，提取晶粒尺寸及取向分布数据，与相场模拟结果对比以标定相场模型参数。主要用于芯片封装领域。