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Dossier
离子阱芯片和量子计算设备
InventionActive
12Claims · 2 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
国仪量子技术(合肥)股份有限公司
Inventor
刘扬扬; 张梦翔; 刘志超; 陈多超; 陈帆; 吴俊峰; 许克标; 贺羽
IPC Classification
G06N 10/40 (2022.01)G06N 10/60 (2022.01)
本发明公开了一种离子阱芯片和量子计算设备,涉及芯片技术领域,离子阱芯片包括:射频电极和两个直流电极,射频电极和直流电极均构造为片状电极,射频电极叠置于两个直流电极之间且共同限定出镂空区域;其中,每个直流电极均设有直流电极引入部,射频电极设有射频电极引入部,直流电极引入部用于向镂空区域引入直流电流且射频电极引入部用于向镂空区域引入射频电流,且在镂空区域内对离子进行操控。本发明实施例的离子阱芯片,通过将直流电极和射频电极均构造为片状电极,且将射频电极叠置于两个直流电极之间,可减小直流电极和射频电极之间的距离,提升电势调控的灵敏度和速度,进而可提升离子操控的精度、加快实验节奏,利于对离子进行操控。
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