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Dossier

基于ISFET传感器的电子微阵列芯片点阵阴阳性判断方法和系统

InventionActive
10Claims · 2 independent
§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

李建阳; 张亮; 张志峰; 许家龄; 周鑫; 王宇博; 王聪

IPC Classification

G06T 7/00 (2017.01)G06T 7/70 (2017.01)G06T 7/11 (2017.01)G06T 5/70 (2024.01)

本发明公开了一种基于ISFET传感器的电子微阵列芯片点阵阴阳性判断方法和系统,涉及计算机视觉与图像处理技术领域。该方法首先获取芯片点阵的位置及引物阶段和延伸反应后的电压数据;然后通过设定低反应阈值与噪声阈值识别并剔除坏孔;接着计算各点阵的背景值及有效信号值,并最终得到阴性质控、阳性质控及靶标区的信号均值;最后,通过将阳性质控均值与阈值比较以验证实验有效性,并基于靶标均值与阈值的比较结果自动判定样本的阴阳性。本发明实现了点阵检测结果的自动化、定量化判读,克服了人工判读主观性强、效率低且易误判的缺陷,显著提高了检测的准确性与鲁棒性。

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