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Dossier
一种基于DRAM的高带宽存储模块
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
芯动微电子科技(武汉)有限公司
Inventor
高专
IPC Classification
G11C 11/4096 (2006.01)G11C 11/4072 (2026.01)H10B 80/00 (2026.01)H10D 80/30 (2006.01)H10W 72/20 (2026.01)
本发明公开了一种基于DRAM的高带宽存储模块。存储模块包括基板、转换模块和DRAM模块裸片;DRAM模块裸片与基板的第一面形成导电连接,基板的第一面再与转换模块形成导电连接;转换模块用于对DRAM模块裸片与外界的往来信号进行处理,以提高DRAM模块裸片与外界进行信号交互的信号传输速率。本发明能够根据实际需要不同程度地提升基于DRAM的存储模块的带宽,兼容现有的DRAM模块裸片(die),结构和工艺简单,灵活性高,易于实现批量生产和大规模推广,具有很好的应用前景。
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