闪存阵列的编程方法

本发明提供了一种闪存阵列的编程方法，对选定存储单元的选定存储位进行编程时，对所述选定存储单元的选定存储位所对应的所述控制栅线施加第一电压；对与所述选定存储单元相邻的非选定存储单元的预设存储位所对应的所述控制栅线施加第二电压；其中，所述预设存储位和所述选定存储位位于同一列的相邻行；通过控制非选定存储单元的预设存储位施加的第二电压，减少对与选定存储单元位于同一列的相邻行的非选定存储单元的串扰。