准直器和磁控溅射设备

本发明公开一种准直器和磁控溅射设备，所公开的准直器包括环状基部和中心调节部，所述中心调节部包括多个中心围挡，所述环状基部环绕所述多个中心围挡，所述多个中心围挡均移动地设于所述环状基部，所述多个中心围挡围合成沿所述环状基部的中心轴线的延伸方向贯通的中心通孔，所述多个中心围挡可相对所述环状基部沿所述中心通孔的径向移动，以调节围合成的所述中心通孔的孔径。上述方案可以解决采用相关技术中的准直器在磁控溅射设备进行沉积薄膜工艺时存在沉积的薄膜均匀性较差的问题。