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Dossier
一种半导体刻蚀设备
InventionActive
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19Claims · 1 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
江苏天芯微半导体设备有限公司
Inventor
李进
IPC Classification
H01J 37/32 (2006.01)H10P 72/00 (2026.01)
本发明公开了一种半导体刻蚀设备,包括工艺腔室、下电极腔室、升降机构和晶圆边缘压环。升降机构包括密封腔、导杆组件、支撑组件、驱动组件、导向组件。密封腔连接于下电极腔室的外壁,二者内部空间连通。所述导杆组件上下两端分别与驱动组件与支撑组件连接,传递运动并隔离真空与大气环境。所述支撑组件支撑并调平晶圆边缘压环。所述驱动组件固定于下电极腔室内壁,并与导杆组件刚性连接以传递运动。导向组件分布于密封腔上下两端,与导向杆相适配,约束导向杆的升降及旋转运动。本发明所述的半导体刻蚀设备能够实现晶圆边缘压环的平稳升降与对中,并便于升降机构的安装和维护。
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