一种GaN HEMT离散式多级有源栅极驱动器及驱动方法

本申请公开了一种GaN HEMT离散式多级有源栅极驱动器及驱动方法，涉及栅极驱动器技术领域，驱动器包括：PWM发生模块，输出PWM高频信号；驱动信号生成模块，通过逻辑门组合PWM信号生成驱动信号，调节驱动级；栅极驱动模块包括2个独立双通道栅极驱动器，每个驱动器有2个单独的驱动单元，每个驱动单元包括一个驱动级，通过驱动信号控制驱动级使GaNHEMT拥有离散的栅极电阻值；器件寿命工况预测模块，通过实时采集器件的动态电气参数和热力学参数，优化有源栅极驱动策略。本发明有效抑制GaN HEMT在超高开关速度下产生的开关振荡和电压电流过冲，实现GaN HEMT的实时使用寿命预测与主动保护，提升系统可靠性。