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Dossier

半导体存储器装置

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§ Ⅰ

Dossier Overview

Inventor

张诚桓; 朴孝真

IPC Classification

H10B 12/00 (2023.01)

根据实施例的半导体存储器装置包括半导体图案、在半导体图案上沿第一方向延伸的栅电极、电连接到半导体图案的数据存储元件以及沿与第一方向相交的第二方向与栅电极相邻的间隔件。半导体图案包括与位线相邻的第一杂质区、与数据存储元件相邻的第二杂质区以及在第一杂质区和第二杂质区之间的沟道区。数据存储元件包括电连接到第二杂质区的第一电极。间隔件的与栅电极相对的外侧壁比第一电极的与第二杂质区相对的外侧壁更靠近栅电极。

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