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Dossier
半导体装置
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Inventor
太田将志; 宫田翔希; 古谷一马; 幸村雄介; 广濑丈也; 安藤善范; 松崎隆德
IPC Classification
H10B 12/00 (2023.01)
提供一种容易微型化的半导体装置。提供一种能够高集成化的半导体装置。第一绝缘层具有开口,第一导电层沿着开口设置,第三绝缘层沿着第一导电层设置,第二导电层位于第三绝缘层的凹部内,第二绝缘层位于第二导电层上且具有到达第二导电层的狭缝,第三导电层位于第二绝缘层上,半导体层具有与第三导电层的侧面接触的部分、在狭缝的内部与第二绝缘层的侧面接触的部分及在狭缝的内部与第二导电层的顶面接触的部分,第四绝缘层在狭缝的内部覆盖半导体层,第四导电层在狭缝的内部覆盖第四绝缘层,第二导电层包括第一层至第三层,第一层的顶面具有凹部,第二层位于第一层的凹部内,第三层位于第一层及第二层上。
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