半导体装置和制造半导体装置的方法

本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。半导体装置可以包括：栅极结构，该栅极结构包括交替层叠的绝缘层和导电层；狭缝结构，该狭缝结构延伸穿过栅极结构；沟道层，该沟道层延伸穿过栅极结构；第一数据存储层，该第一数据存储层围绕沟道层；第二数据存储图案，该第二数据存储图案分别位于导电层和第一数据存储层之间；第一阻挡图案，该第一阻挡图案分别位于导电层和第二数据存储图案之间；以及缓冲图案，该缓冲图案位于绝缘层和第一数据存储层之间。