半导体器件及其制造方法

本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，衬底上形成有栅介质层；于栅介质层上依次形成高阻部件和第一掩膜层，第一掩膜层覆盖高阻部件和栅介质层，且第一掩膜层内形成有暴露部分高阻部件的第一开口；基于第一掩膜层刻蚀高阻部件及部分栅介质层，以形成贯穿高阻部件并延伸至栅介质层内的凹槽；进行外延生长工艺，使外延生长后的高阻部件填满凹槽中高于栅介质层的部分，并于凹槽中位于栅介质层内的部分形成气隙；形成至少覆盖高阻部件的保护层，并进行离子注入工艺以形成高阻结构，高阻结构包括气隙和经过离子注入的高阻部件；去除保护层。本申请降低了高阻部件和衬底间产生寄生PN结或电容的概率，提高了半导体器件的性能。