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기록

具有降低的表浅层中电场的电子器件及其制造方法

발명유효
26청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

A·米拉尼; E·皮齐; V·帕伦博

IPC 분류

H10D 1/68 (2025.01)H10D 1/00 (2025.01)H10D 1/20 (2025.01)H10W 44/00 (2026.01)H01G 4/002 (2006.01)H01F 17/00 (2006.01)H01F 27/28 (2006.01)H01F 27/32 (2006.01)H01F 41/04 (2006.01)H01F 41/12 (2006.01)

本公开涉及具有降低的表浅层中电场的电子器件及其制造方法。一种电流隔离器件包括在电流隔离模块的顶部金属层上方延伸的金属盖层。金属盖层在顶部金属层的中心部分处与顶部金属层电接触。缓冲层在顶部金属层的外围部分处将金属盖层与顶部金属层分离开。通过将金属盖层的侧边缘从顶部金属层的对应边缘凹陷一定距离(例如,大于1微米),使金属盖层和顶部金属层的边缘处的电场峰彼此解耦。