提高基区特定区域掺杂浓度的基极与发射极短路SiC-TVS器件

本发明公开了一种提高基区特定区域掺杂浓度的基极与发射极短路SiC‑TVS器件，包括：碳化硅衬底层；漂移基区位于碳化硅衬底层上；若干N型发射区间隔位于漂移基区上；若干P型基区，位于相邻N型发射区之间的漂移基区上，每个P型基区与两侧相邻的N型发射区均接触；其中，每个P型基区的掺杂浓度大于漂移基区的掺杂浓度，且每个P型基区的掺杂浓度小于相邻N型发射区的掺杂浓度；每个P型基区的厚度小于或等于相邻N型发射区的厚度；每个P型基区的宽度小于相邻N型发射区的宽度；负电极包括若干发射极和基极，每个发射极位于N型发射区上，每个基极位于P型基区上；正电极位于碳化硅衬底层下表面。本发明提高了TVS器件的钳位响应速度。