一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路

本发明涉及半导体领域中的一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法与整流电路。氧化镓肖特基二极管的氧化镓外延层的台面终端上设置有两个JTE结构和阳极。每个JTE结构包括依次叠置在台面终端上的渐变电荷量的n层JTE。阳极一端填充在两个JTE结构之间，另一端溢出并平铺在两个顶层JTE上。在沿垂直于平面的方向上，阳极的整体宽度M1、台面终端的宽度M2、每层JTE的宽度W分别为：。M为阳极接触在台面终端上的宽度；L,…,L分别为顶层至底层顺次延伸的所有台阶的宽度，n≥2。本发明实现电场在横向和纵向上的均匀分布，同时降低JTE设计时电荷的敏感度，可实现多维度电场调控。