一种高压SiC IGBT及电力电子器件

本发明公开一种高压SiC IGBT，包括碳化硅衬底，自第一表面至第二表面方向依次布置的P+注入层、N缓冲区、N漂移区和N电流增强层，以及，形成于N电流增强层内在横向方向间隔布置的P+隐埋层，形成于P+隐埋层与第二表面之间的P+区、N+源区和P基区，且P+区和P基区邻接于N+源区两侧；所述N电流增强层的掺杂浓度大于N漂移区的掺杂浓度且小于等于N缓冲区的掺杂浓度；所述P+隐埋层的掺杂浓度大于P基区，且在横向方向的长度大于P+区、N+源区和P基区长度之和。本发明能在有效延长高压SiC IGBT短路耐受时间的同时，减少N电流增强层外P+隐埋层对器件正向耐压的不利影响，维持N电流增强层在正向导通中的载流子存储效应。