具有稳健触发元件的ESD保护器件

本公开涉及具有稳健触发元件的ESD保护器件。一种半导体器件，包括：第一行掺杂阱，其包括在半导体主体中与第二导电类型阱交替布置的第一导电类型阱；第一导电触点，其形成在与第一导电类型阱中的一者电连接的半导体主体上；第二导电触点，其形成在与第二导电类型阱中的一者电连接的半导体主体上；以及触发区，其包括触发元件，触发元件被配置为生成感应在第一导电类型阱与第二导电类型阱之间的直接电流的触发电流，其中触发区包括一个或多个电流扩展界面，电流扩展界面被配置为随着触发电流在第一导电触点和第二导电触点中的至少一者与半导体主体之间过渡而减小触发电流的电流密度。