半导体器件及其制作方法

本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述方法包括：提供基底，基底上形成有栅极，栅极两侧的基底内形成有源/漏极；在栅极与源/漏极上形成掺杂有N型离子的硅阻挡层；形成金属层，金属层覆盖硅阻挡层、栅极的侧壁以及基底；进行第一次高温退火工艺，使得金属层中的金属元素扩散至硅阻挡层内并继续扩散至栅极、源/漏极内并反应形成金属硅化物。本发明通过在栅极与源/漏极上形成掺杂有N型离子的硅阻挡层，能够降低金属元素向栅极、源/漏极内进行扩散的扩散速度，达到抑制金属元素过扩散的目的，从而改善金属硅化物的均一性，同时避免了有效沟道长度的降低，减小了器件的漏电，提高了器件性能与器件良率。