一种量子栅结构的横向功率电子器件及其制备方法

本发明提供了一种量子栅结构的横向功率电子器件及其制备方法，涉及半导体设计技术领域。所述电子器件包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层、势垒层、量子栅层、钝化层和电极层，所述电极层包括阳极层和阴极层。量子栅层通过精确控制其材料组分与厚度，使该层不形成有效电子态。热电子从沟道层向界面迁移时，因缺乏能量匹配的中间量子态，无法完成跃迁而被强制冷却，有效阻断热电子俘获及由此引发的界面缺陷生成。该结构显著抑制了动态导通电阻退化，适用于高压高频功率开关场景。