一种图形化源漏电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法

本发明提供一种图形化源漏电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法，涉及氮化镓HEMT器件技术领域。本发明能够通过在漏电极下方设置至少一个面积小于漏电极的第一欧姆接触区；各第一欧姆接触区沿垂直于源漏连线的方向分布；在有源区中，面积较小的第一欧姆接触区与源电极欧姆接触区之间形成非均匀分布的电流路径；通过改变欧姆接触区分布来调节器件内部电场，实现栅源电容的改变，从而调节器件线性度，实现对器件线性度的灵活调节。沟道电子从源极的欧姆接触区流向漏极的欧姆接触区，沟道电流在器件有源区为非均匀分布，从而优化器件的温度分布，降低器件的沟道峰值温度，提高器件的可靠性寿命。