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기록
一种欧姆肖特基电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
周幸叶; 冯志红; 吕元杰; 张栋曜; 高学栋
IPC 분류
H10D 30/47 (2025.01)H10D 30/01 (2025.01)H10D 62/10 (2025.01)H10D 62/824 (2025.01)H10D 62/85 (2025.01)H10D 62/852 (2025.01)H10D 64/23 (2025.01)H10D 64/64 (2025.01)
本发明提供一种欧姆肖特基电极的金刚石基氮化镓器件及其制备方法,涉及氮化镓HEMT器件技术领域。本发明能够通过在源电极下方设置至少一个面积小于源电极的第一欧姆接触区;各第一欧姆接触区沿垂直于源漏连线的方向分布;各第一欧姆接触区与漏极欧姆接触区形成多个电流路径;一方面,具有欧姆接触区的肖特基源电极通过加入肖特基电极部分,引入肖特基势垒,降低栅漏电,从而改善器件的亚阈值特性;另一方面,通过改变源极欧姆接触区分布,能够调节器件内部的电场分布,改变栅源电容和沟道电流路径,沟道电子从源极的欧姆接触区流向欧姆接触漏电极,沟道电流在器件有源区为非均匀分布,实现对器件线性度的灵活调节。