一种晶体管器件及其制造方法

本申请提供了一种晶体管器件，包括：外延结构、形成在外延结构上的栅极；栅极包括P‑GaN栅极层、栅极金属层；所述栅极还包括形成在所述P‑GaN栅极层和所述栅极金属层之间的介质层和形成在所述介质层和所述P‑GaN栅极层之间的中间结构，所述中间结构包括至少一个P型III族氮化物层，所述P型III族氮化物层的禁带宽度大于所述P型GaN栅极层的禁带宽度；所述介质层用于将所述P型III族氮化物层和所述栅极金属层隔离。本申请实施例中P型III族氮化物层可以具有Al组分，P型III族氮化物层的禁带宽度大于P型GaN栅极层的禁带宽度，因此可以增加栅极耐压，增强栅极可靠性。介质层可以隔离P型III族氮化物层与栅极金属层，避免P型III族氮化物层与栅极金属层直接接触带来的界面缺陷，改善界面处的质量。