基于二维单层硒化钨和铝钪氮的CAA结构的可重构铁电晶体管

本发明公开了一种基于二维单层硒化钨和铝钪氮的可重构铁电晶体管，晶体管采用CAA结构，在栅电极施加编程脉冲电压，改变铁电层的极化方向，将极化电场耦合至沟道区域；在脉冲编程电压作用下铝钪氮AlScN铁电层发生极化翻转，在沟道界面诱导产生束缚电荷，改变沟道中的载流子类型；根据铁电层的极化方向，通过源极分别注入电子或空穴，沟道层采用单层硒化钨作为沟道材料。本发明能够在先进工艺节点保持良好非易失特性的同时仅需较低的编程电压，显著降低功耗，提升了器件的垂直集成度，显著抑制了漏电流和寄生效应，能够较好地与现有可编程逻辑器件中的内部可编程互连线资源及I/O块相兼容。