一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管及制备方法

本发明涉及半导体器件技术领域，提供了一种基于纳米铁电材料的可重构双栅晶体管，设置有底栅编程栅极和顶栅控制栅极，使用两个分立的栅极的形式，极大限度地减少晶体管编程与晶体管控制操作之间的串扰，提升晶体管的非易失特性与实用性，解决了传统晶体管在非易失性存储和快速调控方面的技术难题，优化了晶体管器件的电学性能，展现出良好的P/N转移特性曲线，较低的亚阈值摆幅。