半导体装置及其制造方法

一种半导体装置包括衬底、第一电极和第二电极。该半导体装置包括MOSFET，其具有作为漏极的第一电极和作为源极的第二电极。第一电极具有设置在第一主面上的层区域，以及在从第一电极到第二电极的第一方向上从第一主面延伸到衬底中的第一区域。第一电极的下表面向与第一方向相反的方向突出。