屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法

本申请公开了一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的终端结构及制造方法，本方案通过在终端区采用一组特殊的外围沟槽阵列，在这个特殊的外围沟槽阵列的底部通过一次性P‑型离子注入，并在随后的器件制造热工艺的条件下对该P‑型注入的离子进行驱动，以达到预期均匀的结深，实现了缓解器件终端区域横向电场，获得了预期的击穿电压；并且，通过外围沟槽阵列的各沟槽间距不大于3.1um，使得最终得到的目标终端结构具有更小的终端尺寸，节省芯片面积；另外，该制造工艺与现有的屏蔽栅沟槽型MOSFET器件的工艺兼容，且工艺简单，制造成本低。