一种介电薄膜的制造方法及介电薄膜、二维场效应晶体管

本申请涉及微电子工艺技术领域。具体涉及一种介电薄膜的制造方法及介电薄膜、二维场效应晶体管。介电薄膜制造方法，包括以下步骤：提供生长基底和介电薄膜原材料；原子级台阶化基底；将生长基底进行退火处理，使生长基底表面形成沿晶面方向连续延展、规则排列的台阶，构成宏观平整的原子级台阶表面结构；生长介电薄膜；以介电薄膜原材料覆盖生长基底表面，将生长基底和介电薄膜原材料一同在反应气体条件下加热氧化，介电薄膜原材料沿台阶有序生长，最终连成一体的平面薄膜结构，形成介电薄膜。本申请的介电薄膜的制造方法能量消耗小，反应时间短，适于大规模制备。