半导体器件及其制造方法

本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有介质层、保护层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述保护层和所述介质层，以暴露所述衬底内的核心区；对所暴露的所述衬底进行活化处理，于所述核心区内的所述衬底的表面形成活化层；对所述活化层进行处理，形成基于所述活化层的预栅结构；去除所述光刻胶层，并去除所述保护层以及所述预栅结构中远离所述衬底一侧的部分，使剩余的所述预栅结构覆盖所述核心区的衬底。本申请减少了半导体器件的漏电流，提高了阈值电压的稳定性，减小甚至避免了后续形成的栅极发生击穿的概率，从而提高了半导体器件的稳定性和可靠性。