一种芯片、半导体封装结构及电子设备

本申请公开了一种芯片、半导体封装结构及电子设备，芯片包括第一P型VTFET、第二P型VTFET、第一N型VTFET以及第二N型VTFET，以采用4个VTFET实现交叉耦合电路结构的电路版图，保证芯片性能。并且，该4个VTFET形成对角线交叉结构设计，以采用2个CGP形成交叉耦合电路结构的版图，可以在保证芯片性能的基础上，不增加版图面积。以及，第二P型VTFET的栅极和第一N型VTFET的栅极通过第一栅极接触部相互连接，且第一P型VTFET的栅极和第二N型VTFET的栅极分别设置于第一栅极接触部两侧、并与第一栅极接触部间隔设置，可以降低短接风险，可以保证芯片的安全。