集成电路器件及制造集成电路的方法

具有CFET器件的集成电路器件包括第一行中的高单元和第二行中的矮单元。集成电路器件还包括第一行高单元中的一个或多个自对准垂直互连件。每个自对准垂直互连件至少部分地嵌入侧凹槽中。侧凹槽具有共形地涂布有绝缘材料的边界表面，该绝缘材料终止与高单元中的有源区域结构相交的至少一个栅极导体。在集成电路器件中，连续布置在第二行中的至少三个矮单元没有任何自对准垂直互连件。本公开的实施例还涉及集成电路器件及制造集成电路的方法。