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Dossier
静电防护器件及其制备方法、充电器件及电子设备
InventionActive
13Claims · 5 independent
§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
珠海楠欣半导体科技有限公司
Inventor
孙炳奇
IPC Classification
H10D 89/60 (2025.01)
本申请提供了一种静电防护器件及其制备方法、充电器件及电子设备,涉及半导体技术领域,所述静电防护器件包括:晶体管;所述晶体管的栅极包括电阻调制区,且所述电阻调制区通过导电结构与所述晶体管的源极相连接;其中,所述电阻调制区用于产生寄生电阻,并通过所述寄生电阻限制所述栅极与所述源极之间的瞬态电流。本申请用于提供一种通过在栅极中形成电阻调制区,以通过引入额外的寄生电阻的方式,实现外挂电阻的技术方案。
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