背照式图像传感器及其制备方法

本公开涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，涉及集成电路技术领域，其中，多个光电二极管结构，沿平行于背面的第一方向间隔分布，且沿靠近衬底的第二方向贯穿P型外延层；底光敏部包括沿第一方向延伸的第一水平部，以及延伸至衬底背面的第一纵向凸出部；中光敏部包括沿第一方向延伸的第二水平部，以及延伸至第一水平部顶面的第二纵向凸出部；第二纵向凸出部位于第一水平部沿第一方向远离第一纵向凸出部的一侧；顶光敏部包括沿第一方向延伸的第三水平部，以及延伸至第二水平部顶面的第三纵向凸出部。至少能够增加感光区域的电子浓度，提高BSI图像传感器的感光性能及集成密度。