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一种红外焦平面探测器芯片的先电极结构及制备方法

발명유효
6청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

李添赫; 李游; 何英杰; 贺琦璐; 朱旭波; 彭震宇

IPC 분류

H10F 39/18 (2025.01)H10F 39/12 (2025.01)

一种红外焦平面探测器芯片的先电极结构及制备方法,N型衬底采用扩散或离子注入方式成结,且通过湿法腐蚀或干法刻蚀制备形成台面结构;电极层直接制备于衬底材料的台面上,与衬底台面形成欧姆接触;钝化层为双层钝化膜结构,铟柱层通过光刻显影、镀膜机及剥离工艺制备,与暴露后的电极层直接接触;本发明基于磁控溅射、光刻、湿法腐蚀等成熟半导体工艺,无需新增专用设备,可直接适配现有生产线,降低了技术升级与产业化应用的成本,为低成本、大尺寸小像元红外焦平面阵列光电传感器的规模化应用奠定基础。