一种图像传感器的制造方法及图像传感器

本申请公开了一种图像传感器的制造方法及图像传感器，图像传感器的制造方法包括：形成深沟槽隔离结构；在半导体衬底的第一表面形成介质层，并且形成从介质层表面向其内部延伸的第一沟槽，第一沟槽和深沟槽隔离结构相对；至少在第一沟槽的侧壁形成基底半导体层，其中，基底半导体层暴露出第一沟槽的底部；以基底半导体层为掩模，形成从第一沟槽的底部继续向介质层内部延伸的第二沟槽；基底半导体层膨胀氧化，形成完全填充第一沟槽的填充介质层，第二沟槽形成顶部被填充介质层覆盖的气隙；以及形成空气格栅结构，其中空气格栅结构包括介质层，介质层内部的气隙、以及覆盖气隙顶部的填充介质层，所述介质层围绕所述气隙以及所述填充介质层。