发光芯片及其制作方法

本发明公开了一种发光芯片及其制作方法。该发光芯片包括至少一个发光单元和原子修复层；发光单元包括外延层，外延层包括刻蚀面，原子修复层至少部分覆盖刻蚀面；原子修复层用于为刻蚀面提供原子，使得原子修复层可以为外延层提供原子，对外延层内的空穴进行修复，即对外延层进行“补洞”，从而可以改善外延层刻蚀时产生的高密度位错与非辐射复合中心现象，减小了发光单元中的电子由外延层侧壁泄露的现象，提高了发光单元中的电子浓度，进而可以提高发光单元的光电转换效率，即提高了发光芯片的发光效率。