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Dossier
键合方法、复合衬底
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
青禾晶元(天津)半导体材料有限公司
Inventor
王坤; 母凤文; 刘福超; 谭向虎; 郭超
IPC Classification
H10P 10/00 (2026.01)H10P 72/00 (2026.01)H10P 72/50 (2026.01)
本申请涉及半导体材料加工技术领域,尤其涉及一种键合方法、复合衬底。键合方法包括:准备支撑衬底、供体衬底和辅助衬底;采用对位键合平台进行支撑衬底、供体衬底、辅助衬底之间的键合,最终形成由上至下依次为支撑衬底、供体衬底、辅助衬底的第二键合体。将辅助衬底从第二键合体上分离,形成复合衬底;以及对所述复合衬底的表面进行处理。所得复合衬底不存在边缘缺陷区,可提升使用面积。
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