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기록
NPW样片的制备方法及其应用
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
刘晓亮; 江超; 朱晓乐
IPC 분류
H10P 50/64 (2026.01)H10P 50/68 (2026.01)H10P 50/28 (2026.01)H10P 74/20 (2026.01)
本发明提供一种NPW样片的制备方法及其应用,在半导体基底上形成复合叠层,并通过旋转式托盘及喷头向位于复合叠层顶部的第一材料层的局部区域喷射第一刻蚀溶液以进行第一刻蚀工艺,形成贯穿第一材料层的第一凹槽,从而本发明可在不使用光罩及光刻胶的情形下,制作NPW样片,且可在同一NPW样片上、同一机台中,完成如掺杂浓度、生长速率、侧向刻蚀、粒子状况、选择性沉积及选择性刻蚀等的检测,从而可降低机台污染风险,降低研究成本,缩短研究周期,提高检测准确性,提高检测效率。