一种自修复氮化铝复合静电卡盘及其制备方法

本发明公开了一种自修复氮化铝复合静电卡盘及其制备方法，属于半导体制造设备技术领域。采用AlN‑SiCw复合材料（SiC晶须含量5‑8vol%）为基体，表面渗透含硼玻璃相（BO‑SiO，软化点850℃）修复层，内部设置16个独立控温电极分区。当表面出现微裂纹时，在工艺温度（>600℃）下玻璃相流动填充缺陷，实现自我修复。通过严格控制原料氧含量和采用ALD钝化层技术，有效降低了材料中的氧杂质；梯度热膨胀设计减少了界面热应力。本发明解决了现有静电卡盘在热循环条件下性能衰退的问题，显著提高了静电卡盘的使用寿命和可靠性，满足半导体先进制程的需求。