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Dossier
WAT测试结构及测试方法
InventionActive
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§ Ⅰ
Dossier Overview
Applicant
上海华虹宏力半导体制造有限公司
Inventor
陈宏
IPC Classification
H10P 74/00 (2026.01)G01R 31/00 (2006.01)G01R 31/28 (2006.01)G01R 31/52 (2020.01)G01R 1/04 (2006.01)G01R 1/02 (2006.01)H10P 74/20 (2026.01)
本发明提供一种WAT测试结构及测试方法,WAT测试结构包括第一测试结构和第二测试结构,第一测试结构中的第一金属互连结构与第一控制栅电性连接;第二测试结构中的第二金属互连结构与第二控制栅断开,第二控制栅的结构与第一控制栅的结构相同。在测试方法中,根据第一测试结构的漏电流和第二测试结构的漏电流,可以有效判断出失效发生于控制栅还是金属互连结构中。
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