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一种离子注入量的检测方法

발명유효
5조회수
9청구항 · 1 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

李宗鑫; 郭大英; 杨晓龙

IPC 분류

H10P 74/20 (2026.01)G01T 1/02 (2006.01)G01R 27/02 (2006.01)

本发明公开了一种离子注入量的检测方法,检测方法包括:对晶圆注入标准剂量的离子并进行退火处理得到标准晶圆;使用第一激光照射标准晶圆,获取标准晶圆的电阻率变化值,作为标准值;对晶圆注入第一剂量的离子并进行退火处理得到待检测晶圆;使用第一激光照射待检测晶圆并得到电阻率变化数据;从待检测晶圆的电阻率变化数据中获取待检测晶圆的电阻率在周期性变化时的第一电阻率变化值;将第一电阻率变化值与标准值进行比较,当第一电阻率变化值大于标准值时,第一剂量小于标准剂量;当第一电阻率变化值小于标准值时,第一剂量大于标准剂量。本发明能够改善在晶圆的检测过程中晶圆表面杂质对检测结果产生影响的问题。