一种生产超薄支撑层SOI的方法

本发明公开了一种生产超薄支撑层SOI的方法，涉及到半导体技术领域，其包括，包括以下步骤：S1：分别提供支撑层晶圆和顶硅晶圆，对支撑层晶圆的正面和顶硅晶圆的背面进行常规化学机械抛光，获得常规抛光片；S2：对支撑层晶圆的抛光面和顶硅晶圆的抛光面，进行表面活化后，将两者对齐贴合并施加压力，得到支撑层SOI；S3：对顶硅层的边缘进行减薄处理，去除部分顶硅层材料，得到减薄支撑层SOI，常规厚度抛光片工艺稳定，用于键合也有正常良率，而键合后的SOI片厚度为顶硅厚度与支撑层厚度之和，这在后续背面减薄和抛光中避免了超薄片加工，并且此工艺由于背面抛光的后置，额外使背面的质量高于传统方案，满足更多客户的要求。